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Delcom20J3STAGE薄膜電阻測量儀是一款基于非接觸渦流測量原理的專業設備，其測量精度在同類產品中處于先進水平。該設備的精度表現可從多個維度進行量化評估，整體精度控制優異，能夠滿足半導體、光伏、新材料等領域的精密測量需求。一、核心精...
顯微鏡秒變光刻機！--顯微鏡LED曝光單元電子顯微鏡和光刻機，兩個看上去風馬牛不相及的東西，是如何結合到一起的？我們向您介紹一款無掩膜顯微鏡LED曝光單元UTA-3A-53M，能令顯微鏡秒變光刻機！該設備是一種具有高性價比的曝光裝置，其DLP固定在顯微鏡的三目鏡部分，而照相機則固定在目鏡部分。可以將專用程序產生的圖案投影并在顯微鏡下曝光在樣品上。＜特征＞?顯微鏡LED曝光單元UTA系列是用于光刻的無掩模圖案投影曝光設備。?使用金屬顯微鏡和LED光源DLP投影儀，將分辨率為幾μ...
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200:微米級定位精度自動化薄膜厚度測繪系統介紹FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自動薄膜厚度測繪系統，用于全自動圖案化晶圓上的單層和多層涂層厚度測量。電動X-Y載物臺提供適用尺寸200mmx200mm毫米的行程,通過真空固定在載臺上時進行精確測量。可依測量厚度和波長范圍應用需求可在在200-1700nm光譜范圍內提供各種光學配置.應用o大學&研究實驗室o半導體（氧化物、氮化物、Si、抗蝕劑等）oMEMS器件（光刻...
1.摘要本研究探討了同質外延生長的4H-SiC晶片表面堆垛層錯(SF)的形貌特征和起因。依據表面缺陷檢測設備KLA-TencorCS920的光致發光(PL)通道和形貌通道的特點,將SF分為五類。其中I類SF在PL通道圖中顯示為梯形,在形貌圖中不顯示;II類SF在PL通道圖中顯示為三角形,且與I類SF重合,在形貌圖中顯示為胡蘿卜形貌。III-V類SF在PL通道圖中均顯示為三角形,在形貌圖中分別顯示為胡蘿卜、無對應圖像或三角形。研究結果表明,I類SF起源于襯底的基平面位錯(BPD...
主動式防震臺能夠克服一般光學平臺以及氣浮平臺低頻共振，配合Herzan的隔音箱能夠隔絕空氣的擾動，能夠給精密測量提供的振動隔離，適用于時間頻率測量、原子力顯微鏡(AFM)、掃描隧道顯微鏡(STM)。它的主動防震系統是基于先進技術的，它兼備多達三個獨立的主動隔振層和兩個被動隔振層。這種系統架構的廣泛靈活性允許KS系統在安裝中獲得最大的性能，特別是在典型防震系統無法使用的情況下。主動式防震臺可用于抵消工作環境對靈敏度高的精密設備產生的不必要振動，提高精密設備的性能。流線型的結構設...
晶圓對準設備是實現系統微型化和系統更高集成度的關鍵工藝設備，尤其是先進的MEMS、MOEMS制造的關鍵設備之一。其鍵合工藝主要包括陽極鍵合、共晶鍵合、熔融鍵合。該設備主要應用于微機電系統極限環境可靠性測試試驗中的封裝測試過程，為各種微機電器件提供不同類型的鍵合封裝，為檢驗不同材料、鍵合條件對可靠性的影響提供鍵合技術支持。目前，晶圓對準設備可應用于多個領域，包括MEMS、功率器件、圖像傳感器、先進封裝和化合物半導體等。其還能夠滿足各類基底的鍵合對準需求。主要功能：1.可用于陽極...